・氏名：富樫理恵・とがしりえ・Rie Togashi
・専門分野：半導体工学、結晶成長
・研究内容：
私たちの身の回りでは、PC、携帯電話、交通信号、フルカラーディスプレイ等の様々な機器に光・電子デバイスが多用されています。これらデバイスは、様々な種類の結晶が人工的に積層成長され作製されます。中でも、Ⅲ族窒化物、及び酸化物半導体結晶は、高効率、長寿命、省電力機能を有する光・電子デバイスの作製が可能であり、省エネルギー社会に貢献できる魅力的な材料です。私の研究室では、実験と計算化学の協調によるⅢ族窒化物、及び酸化物半導体結晶成長の研究を行います。
具体的な研究スタイルとして、熱力学解析等を用いた理論計算により使用原料の選択を行い、半導体の成長条件等の実験パラメータへの影響を予測します。次に、得られた計算結果に基づいた成長装置を構築し、成長実験を実施していきます。さらに実験結果を計算結果にフィードバックすることで計算モデルの検証、反応メカニズムの解明を行い、最適な実験条件を絞り込み、さらに成長実験を実施していきます。

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